產(chǎn)品型號(hào)：好修能測(cè)

廠商性質(zhì)：代理商

所在地：上海市

更新時(shí)間：2022-07-19

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

數(shù)控鉆床西門(mén)子系統(tǒng)功率模塊壞；分析處理

     對(duì)西門(mén)子功率模塊失效損壞進(jìn)行分析。我們通過(guò)對(duì)6SN1123-1AA00-0CA1單軸50A、6SN1123-1AA00-0DA1 單軸 80A、6SN1123-1AA00-0EA1 單軸160A以及6SN1145-1BA0-0BA0 16/21KW電源模塊失效進(jìn)行分析。它們共同之處是都使用大功率 IGBT作為輸出，而且IGBT的驅(qū)動(dòng)電路也基本相同。

       隨著電力電子的快速發(fā)展，飼服功率輸出部分廣泛采用IGBT 晶體管取代GTR等。因?yàn)镮GBT驅(qū)動(dòng)電路相對(duì)簡(jiǎn)單，幾乎可以用TTL邏輯電路直接驅(qū)動(dòng)，這是它的優(yōu)點(diǎn):而它的缺點(diǎn)也很明顯，那就是IGBT晶體管存在所謂擎住效應(yīng)，正常使用不存在此效應(yīng)，但使用不當(dāng)，一旦因過(guò)流觸發(fā)此效應(yīng)，IGBT晶體管便為常通，根本不受柵射控制電壓控制關(guān)斷IGBT直到燒壞。

1 、1GBT失效損壞原因

      在飼服驅(qū)動(dòng)中，IGBT總是受感性電機(jī)負(fù)載的沖擊，短時(shí)過(guò)載等觸發(fā)的擎住效應(yīng)是失效損壞的根本原因。另外IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的不夠嚴(yán)密，使用不合理等，都可能導(dǎo)致IGBT的損壞。

2 、其它原因損壞

     過(guò)壓損壞，由于IGBT的感性負(fù)載，在關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生尖峰電壓，如果尖峰電壓過(guò)高也會(huì)造成器件損壞。這時(shí)損壞往往為內(nèi)置 FWD 二極管被擊穿，這種情況也不少見(jiàn)。柵驅(qū)動(dòng)電路控制邏輯失靈導(dǎo)致橋臂直通，燒壞IGBT。另外長(zhǎng)時(shí)間過(guò)熱滿負(fù)載運(yùn)行也會(huì)導(dǎo)致器件損壞。根據(jù)我們對(duì)IGBT 失效的分析，IGBT 失效還看不出與柵控邏輯失靈、過(guò)熱等有直接關(guān)系。

數(shù)控鉆床西門(mén)子系統(tǒng)功率模塊壞；

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